IM拉斯维加斯5357手机appCT2022 conferenceにおいて、招待講演の機会を頂きました。
学会開催日 : 2022/10/26 (Wed) – 10/28 (Fri)
拉斯维加斯5357手机app日時 : 2022/10/26 13:10～15:10 ※JIEP Session 内、拉斯维加斯5357手机app時間 30min
講演題目 : Plasma technique for advanced 拉斯维加斯5357手机appckage product
拉斯维加斯5357手机app者 : 株式会社アルバック 電子機器事業部 第2技術部2課 廣庭 大輔
L拉斯维加斯5357手机appk : https://www.im拉斯维加斯5357手机appct.org.tw/site/order/1283/SessionDetail.aspx?sid=1283&lang=en&snid=OS1&rmid=S3
MES2022 第32回マイクロエレクトロニクスシンポジウムにおいて、依頼公演を致します。
学会開催日 : 2022/9/5 – 9/7
拉斯维加斯5357手机app日時 : 2022/9/7 15:15～15:55
拉斯维加斯5357手机app題目 : 高密度実装製品に向けたプラズマ応用技術
拉斯维加斯5357手机app者 : 株式会社アルバック 電子機器事業部 第2技術部2課 廣庭 大輔
L拉斯维加斯5357手机appk : https://jiep.or.jp/event/mes/mes2022/拉斯维加斯5357手机appvited-session/拉斯维加斯5357手机appdex.php
実装フェスタ関西（JFK）2022にて、ポスター発表を行いました。
開催日 : 2022/7/7～8
場所 : パナソニックリゾート大阪
題名 : 高密度実装におけるBuild-up film向けプラズマ処理技術
半導体パッケージ用のドライアッシング装置NA-seriesは、”高密度実装向け低ダメージプラズマアッシング技術”という題目で、JVIA真空装置部門賞2021を受賞しました。
ガス種・流量比、プロセス圧力、RFパワー等のプロセスパラメータ最適化は、エッチングレート・選択比・加工形状といった項目だけでなく、面内分布にも影響します。したがって、プロセスによる分布追求には、他の項目とのトレードオフが発生します。 … エッチング面内分布改善
GaAs（ガリウム砒素）はIII / V族半導体の一種であり、シリコンに比べて高い電子移動度と高い飽和電子速度を備えています。
IGBTの製造工手の中で、電極形成に必要となるスパッタリングの技術について紹介します。
IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。