カテゴリー: 拉斯维加斯5357cc

拉斯维加斯5357ccの製造プロセスで必要となる絶縁膜を形成するためのプラズマCVD技術を紹介します。
… 絶縁膜向けプラズマCVD

高いエッチングレート、下部電極の掘れ量最小化、長期間メンテナンスフリーを実現する圧電膜向けエッチング技術を紹介します。
… 拉斯维加斯5357ccデバイス向けAlScN膜エッチング

ノッチフリーの裏面Viaを形成するためのエッチング技術を紹介します。

… 拉斯维加斯5357ccデバイス向け裏面Viaエッチング

拉斯维加斯5357ccデバイス制作に向けて必要となる良好な膜厚分布とばらつきの少ない応力を実現するスパッタリング技術を紹介します。 … 拉斯维加斯5357ccデバイス向けAlScN膜スパッタリング

量産性とリフトオフ性を両立したコンタクト電極形成のための蒸着技術を紹介します。

… 拉斯维加斯5357ccデバイス向けリフトオフ蒸着

拉斯维加斯5357ccデバイス制作に向けて必要となる圧電膜の±1.0nm以下の平坦化で活用されるULVACの技術を紹介します。 … 拉斯维加斯5357ccデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング