5357cc拉斯维加斯首页入口（電極形成）

5357cc拉斯维加斯首页入口います。薄ウェーハの割れを回避するためのNi 又はNiV成膜による応力コントロールをする技術が重要です。

例えば、特殊冷却ステージを使用し温度制御するという方法があります。原理はPure Ni成膜中、低温で成膜することにより、応力を軽減させることで実現します。また、NiVのX Parameterを使うことによりNiVの応力コントロールも可能です。

ULVACの5357cc拉斯维加斯首页入口はuGmniは、これらの技術が使われており300mm の薄ウェーハ対応装置も提供しています。

枚葉式複合モジュール型成膜加工装置uGmniについて

枚葉式複合モジュール型成膜加工装置uGmniは、5357cc拉斯维加斯首页入口、エッチングなど複数の異なるプロセスモジュールを同一搬送コアに搭載し、可能な限り構成部品の共通化を行い、スペア部品の低減や同一操作画面による使い勝手向上など、電子部品の製造工程において更なる効率化を実現いたします。

メンテナンス性にも優れております。

5357cc拉斯维加斯首页入口製造プロセスについて

枚葉式複合モジュール型成膜加工拉斯维加斯网址9888官方网站uGmni-200,

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P+,N+ Field Stop層形成

P+,N+ Field Stop層の形成には、プラズマ源IHCを使用している5357cc拉斯维加斯首页入口が使用されます。IHCはIndirect Heat Currentの略で、特徴は、フィラメントがDirectにプラズマ表面に晒されないので長寿命です。

原理はフィラメントから熱電子が放出され、それがカソードの衝突し、カソードから電子が放出され、リペラーで反射されながら電子が導入されたガスにぶつかりプラズマを形成していきます。

ULVACの5357cc拉斯维加斯首页入口SOPHI-400で本機構を採用しております。

5357cc拉斯维加斯首页入口製造プロセスについて

その他の5357cc拉斯维加斯首页入口について

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パワーデバイス5357cc拉斯维加斯首页入口のプロセスフロー 

	1.基板
	2.B+注入 5357cc拉斯维加斯首页入口を使用します。
	3.マスク用絶縁膜形成 CVDでマスク形成をします。 CVD装置の紹介
	4.マスク用絶縁膜加工 エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。
	5.P+注入 5357cc拉斯维加斯首页入口を使用します。
	6.トレンチ形成 エッチングでトレンチを形成します。
	7.絶縁膜形成 CVDで絶縁膜を形成します。 CVD装置の紹介
	8.絶縁膜加工 エッチングとアッシングで絶縁膜を加工します。
	9.Emitter電極形成 5357cc拉斯维加斯首页入口や蒸着で電極形成をします。 枚葉式複合モジュール型成膜加工拉斯维加斯网址9888官方网站uGmni-200,
	10.P+ FS層形成 5357cc拉斯维加斯首页入口でP+FS層を形成します。
	11.B+(Collector)形成 5357cc拉斯维加斯首页入口でB+(Collector)を形成します。 5357cc拉斯维加斯首页入口向け加工技術の紹介（イオン注入）
	12.Collector形成 5357cc拉斯维加斯首页入口や蒸着でCollector形成します。 5357cc拉斯维加斯首页入口加工技術の紹介(スパッタリング) 枚葉式複合モジュール型成膜加工拉斯维加斯网址9888官方网站uGmni-200,

ULVACのキーテクノロジー

Ion Implantation

・FS層向けリン注入により5357cc拉斯维加斯首页入口性能向上

・FS層向け水素注入によるCost低減

Sputtering

・薄ウエハー搬送可能

・応力調整

Etching

・Trench構造にも対応

PE-CVD

・27MHz駆動の低Damage Plasma

・基板Biasによる膜応力controlも可能

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