カテゴリー: 拉斯维加斯5357手机app

下部電極であるPtとの高い選択性を持つPt/PZTエッチングプロセスを提供します。（選択比例：PZT/Pt＞5@8inch, ＞10@6inch）
また下地の掘れ量を最小化する高均一性(＜+/-3%@8inch)と精密な終点検出を提供します。

世界最高水準のPZTスパッタ膜を安定成膜できます。(CMOS上成膜対応：PZT成膜温度 <500℃)
マルチチャンバー搭載で、PZT full stack(上下電極+PZT)を一貫成膜可能です。

圧電拉斯维加斯5357手机appの製造プロセス

近年拉斯维加斯5357手机appデバイス技術はますます進化し、各種センサー、アクチュエータに不可欠な存在になっています。 … 圧電拉斯维加斯5357手机appの製造プロセス

高いリフトオフ性と高品質な膜を実現する蒸着技術を提供します。 … 電極形成のためのリフトオフ蒸着