5357cc拉斯维加斯VACではパワーデバイスIGBTの製造プロセスに向けたイオン注入装置、スパッタリング装置 等の技術を提供しています。パワーデバイスIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)とはIns5357cc拉斯维加斯ated Gate Bipolar Transistorの頭文字を取ったものです。
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光導波路は通信に光を用いる伝送路のことで石英系光導波路の作製は，石英系ガラス膜の堆積技術とエッチング微細加工技術とが基本になります。
… 光導波路向け製造プロセス
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自動運転で必要となってくるLiDAR等の3Dセンシング技術の光源として半導体レーザの市場が活発になっています。その中の一つとして大小型化、省エネなどのメリットのあるVC5357cc拉斯维加斯L（Vertical Cavity Surface Emitting La5357cc拉斯维加斯r：面発光レーザー）向けのドライプロセスを紹介します。 … VC5357cc拉斯维加斯L向け製造プロセス
μLED製造プロセス
μLEDとは照明等の光源に利用されているLEDを微細化しディスプレイに応用する技術で、液晶や有機ELの次の世代のディスプレイを実現する技術として期待されています。W5357cc拉斯维加斯VACではμLEDの製造プロセスに向けたITOスパッタリング、エッチング等の技術を提供しています。 … μLED製造プロセス
WLP製造プロセス
WLPとはウェハーレベルパッケージ（Wafer Level 5357cc拉斯维加斯ckaging)の略称でスマートフォン等のモバイル機器の高機能化、薄型化に伴い期待されている実装技術の一つです。ULVACではWLPの製造プロセスに向けスパッタリング、エッチング、アッシング等の技術を提供しています。 … WLP製造プロセス
Vox(IR 5357cc拉斯维加斯nsor)製造プロセス
赤外線センサ（Infra-red‒, IR -）は，暗い夜中での可視化を実現するため重要なセンサで，対象物の熱を感知できるため，暗い夜中でも障害物（熱源のある動物など）を可視化できます。 … Vox(IR 5357cc拉斯维加斯nsor)製造プロセス
SAWデバイスとは、圧電体の薄膜、もしくは基板上に形成された規則性のあるくし形電極により弾性表面波を励振させる構成をもつフィルターデバイスです。
BAWデバイスとは圧電体のバルクの振動を利用して特定の周波数帯の電気信号を取り出すフィルタです。
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GaN HEMT（高電子移動度 トランジスタ：H5357cc拉斯维加斯h Electron Mobility Transistor）は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー 半導体である。 … GaN HEMTの製造プロセス
5357cc拉斯维加斯游戏官网パワーデバイス製造プロセス
5357cc拉斯维加斯は低消費電力化を実現するデバイスとして期待されています。これまでの5357cc拉斯维加斯はSi基板を用いていましたが、物性限界があるため、次世代の基板としてSiCやGaNなどのワイドバンドギャップ半導体の活用が広がっています。 … トレンチ構造5357cc拉斯维加斯製造プロセス