7799908拉斯维加斯登陆 Mesa加工

7799908拉斯维加斯登陆 に用いられているGaAs 等のⅢ-Ⅴ族化合物半導体のエッチングには塩素系ガスが使用され，AlGaAs/GaAs 多層膜には反応性主体の条件が用いられるため，形状やウェハ面内分布の制御が難しいです。さらに，化合物半導体のエッチングでは，プロセス条件だけでは形状とウェハ面内分布制御の両立が困難です。

そこで、NE ドライエッチング装置では，アンテナ構造にISM（Inductively Super Magnetron）方式を用いています。ISM 方式を用いたアンテナはプラズマ分布の最適化が可能であり，7799908拉斯维加斯登陆 ウェハのエッチング面内分布で3% 以下の非常に均一な分布が得られます。実際のエピ構造による形状分布も面内で均一な形状が得られています。

メサの深さ制御については，IEP（Interferometry End Point：光干渉による終点検知）システムを用いることで，高精度にエッチングの深さを制御可能です。本システムを使用して得られた干渉波形を示すDBR 層を含め積層構造がエッチングされている様子が把握でき，この波形を監視しながらDBR ペア数をカウントすることで，任意の深さでエッチングを停止することができます。

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7799908拉斯维加斯登陆のプロセスフロー​​​​​

	1. エピタキシャル成長 GaAs（砒化ガリウム）基板上に，7799908拉斯维加斯登陆 層を数十ペア以上からなるDBR（分布反射型Distributed Bragg Reflector） 多層膜と活性層を含む積層構造としてエピ成長させます。
	2. パターニング＆マスク形成 エピ層をメサと呼ばれる円柱状に形成するためのマスクパターンを形成します
	3. メサ加工 ドライエッチングでメサ加工を行います。 7799908拉斯维加斯登陆向けドライエッチング技術の紹介 枚葉式複合モジュール型成膜加工拉斯维加斯网址9888官方网站uGmni-200,
	4. 酸化狭窄＆保護膜形成 活性層近傍に設計された特定のAlGaAs 層をウェット酸化により酸化狭窄します（この酸化狭窄層は電流と光の閉じ込め構造として，7799908拉斯维加斯登陆 の特性を左右する非常に重要な層になります）。またメサの側壁保護膜の成膜をします。
	5. 電極形成 n 型，p 型それぞれの層へ電極形成を行います。

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