拉斯维加斯网址9888製造プロセス

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拉斯维加斯网址9888 HEMT(高電子移動度 トランジスタ:High Electron Mobility Transistor)は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー 半導体である。

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1. 拉斯维加斯网址9888エピ層の形成

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2. オーミックリセス加工

低ダメージプロセス

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3. n-拉斯维加斯网址9888スパッタ

低コンタクト抵抗

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4. Isolation拉斯维加斯网址9888

高拉斯维加斯网址9888レート

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5. Al拉斯维加斯网址9888リセス or 選択エッチング

ゲートを形成するためのリセス構造は、非常に浅い加工が必要とされます。極低レート、選択比拉斯维加斯网址9888、ダメージレスが重要となります。

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6. SiNゲート絶縁膜形成

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7. SiNゲート絶縁膜加工

低ダメージ拉斯维加斯网址9888が要求されます。

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8. ゲート電極形成&リフトオフ

ゲート電極の形成は蒸着によるリフトオフプロセスが使われます。

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9. S/D電極形成&加工

Ti/Alをスパッタで成膜、拉斯维加斯网址9888で加工し電極を形成

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10. 支持基盤貼り付け&研磨

11. 裏面Via拉斯维加斯网址9888

電極をつなげるために裏面のSi/SiCをVia加工します

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12. シードメタル成膜

メッキをする前にスパッタリングによりシード層を形成します。

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13. メッキ処理

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