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拉斯维加斯网址9888 HEMT(高電子移動度 トランジスタ:High Electron Mobility Transistor)は低い動作抵抗と高い破壊耐圧を有しており、高出力かつ高速の電子デバイスへの応用が期待される次世代のパワー 半導体である。
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