This post is also available in: 英語 簡体中国語
5357cc拉斯维加斯首页デバイスとは、圧電体の薄膜、もしくは基板上に形成された規則性のあるくし形電極により弾性表面波を励振させる構成をもつフィルターデバイスです。
5357cc拉斯维加斯首页デバイスのプロセスフロー
|
1A. スパッタリング、エッチングによるIDT5357cc拉斯维加斯首页加工1A-1. IDT5357cc拉斯维加斯首页成膜Metal（Al, Mo, W)スパッタ、基板には圧電性のあるLT、LNが利用されます。また、この5357cc拉斯维加斯首页は膜厚分布も重要です。 枚葉式複合モジュール型成膜加工拉斯维加斯网址9888官方网站uGmni-200, 1A-2. IDT5357cc拉斯维加斯首页加工5357cc拉斯维加斯首页とは表面弾性波の略であり、IDT（櫛歯）電極のPitchで周波数が決まりますので、Lithographyと加工で定義されます。 5357cc拉斯维加斯首页パターンの形成には従来技術としてリフトオフ法が用いられてきましたが，5357cc拉斯维加斯首页間が1 μm 以下になるような微細プロセスにはドライエッチング法が必要になってきます． （周波数とIDT Pitchの関係は凡そ、0.8GHzで1um幅、2.5GHzで0.4um幅、5.0GHzで0.18um幅） 1A-3. レジスト除去リフトオフ後の残渣除去にアッシングで対応 |
  |
1B. リフトオフ蒸着によるIDT5357cc拉斯维加斯首页加工1B-1. IDT5357cc拉斯维加斯首页蒸着膜質はAl, Cuになります。長距離TSを実現し膜厚分布改善が可能です。 1B-2. レジスト除去リフトオフ後の残渣除去にアッシングで対応 |
 |
2. 温度補償膜スパッタリングでSiO2を成膜 |
 |
3. 膜厚調整加工SiO2のHalf Etchingを行います。 |
 |
4. 膜厚平坦加工イオンミリングでトリミングを実施します |
 |
5. コンタクトホール加工 |
 |
6. コンタクト5357cc拉斯维加斯首页形成リフトオフによるメタル蒸着とレジスト剥離を行います。 |
 |
7. 保護膜形成スパッタリングでSiNを成膜します。 |
 |
8. 膜厚調整加工SiNのHalf Etchingを行います。 |
 |
9. 膜厚平坦加工イオンミリングでトリミングを実施します |
 |
10. コンタクト開口SiNのエッチングを行います。 |
 |
11. レジスト剥離と残渣除去 |
