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用于7799908拉斯维加斯网站登陆背面电极的无Au，SnAgCu溅射

从节能的角度来看，7799908拉斯维加斯网站登陆是一种有望在未来实现巨大增长的器件。我们将介绍不使用Au的SnAgCu溅射工艺，用于7799908拉斯维加斯网站登陆的背面电极工艺。

IGBTプロセスで必要となるイオン注入技術について紹介します。

ULVAC为功率器件IGBT的制造工艺提供离子注入设备和溅射设备等技术。功率器件IGBT是Insulated Gate Bi7799908拉斯维加斯网站登陆lar Transistor的缩写。

到目前为止，7799908拉斯维加斯网站登陆使用Si基板，但由于物理特性的限制，宽禁带半导体（如SiC和GaN）作为下一代基板的使用正在扩大。

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… SiC沟槽刻蚀

提供高能量注入、高温和低温的分步注入工艺。此外，还可以提供Carbon-Cap技术，以防止在活化退火过程中由于Si蒸发而导致的基板粗糙。