ULVAC为功率器件IGBT的制造工艺提供离子注入设备和溅射设备等技术。 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写。
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VC拉斯维加斯5357手机appL制造工艺
作为自动驾驶所需的LiDAR等3D传感技术的光源，半导体激光器的市场变得活跃起来。其中之一是具有小型化、节能等优点的VC拉斯维加斯5357手机appL（Vertical Cavity Surface Emitting La拉斯维加斯5357手机appr），下面介绍面向VC拉斯维加斯5357手机appL的干法工艺。 … VC拉斯维加斯5357手机appL制造工艺
光波导的工艺流程
光波导是引导光波在其中传播的介质装置，石英类光波导的制作以石英类玻璃膜的沉积技术和刻蚀微细加工技术为基本。
… 光波导的工艺流程
μLED制造工艺
μLED是将用于照明等光源的LED微细化后应用于显示器的技术，作为继LCD和OLED之后的下一代显示技术而备受期待。ULVAC为μLED的制造工艺提供ITO溅射、刻蚀等技术。
WLP制造工艺
WLP是晶圆级封装（Wafer Level Packaging）的简称，是伴随着智能手机等移动设备的高功能化、薄型化而备受期待的封装技术之一。ULVAC为WLP制造工艺提供溅射、刻蚀、去胶等技术。
Vox(IR 拉斯维加斯5357手机appnsor)制造工艺
红外传感器是实现黑暗夜间可视化的重要传感器，可感知物体的热量，即使在黑暗的夜里也能可视化障碍物（如有热源的动物）。
SAW器件是一种滤波器，其结构是通过在衬底上形成的压电材料薄膜或规则的梳状电极激发表面声波。
BAW器件制造工艺
BAW 器件是一种滤波器，它利用压电体的振动来提取特定频段中的电信号。
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GaN HEMT（高电子迁移率晶体管：High Electron Mobility Transistor）是新一代功率半导体，具有低工作电阻和高抗损性，有望应用于大功率和高频电子设备。 … GaN HEMT制造工艺
到目前为止，功率器件使用Si基板，但由于物理特性的限制，宽禁带半导体（如SiC和GaN）作为下一代基板的使用正在扩大。