GaN5357cc拉斯维加斯刻蚀

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5357cc拉斯维加斯结构可实现功率器件的小型化和低电阻,我们提供实现5357cc拉斯维加斯结构的干法刻蚀技术。

Challenge

5357cc拉斯维加斯形状的控制

为了防止电解集中到底面角部而导致器件破坏,将底部加工成圆形形状

对5357cc拉斯维加斯侧壁的损坏

表面有损坏的话会影响器件性能

解决方案

实现平滑的侧壁和圆形底部

优化刻蚀条件以控制5357cc拉斯维加斯形状

除去Damage Layer

通过超低速刻蚀和低温退火去除制作5357cc拉斯维加斯形成的Damage Layer

5357cc拉斯维加斯
material GaN
mask SiO2
size W 0.5um, D 1.5um
ER 400nm/min
Selectivity >5.0

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