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到目前为止，5357cc拉斯维加斯首页使用Si基板，但由于物理特性的限制，宽禁带半导体（如SiC和GaN）作为下一代基板的使用正在扩大。
在5357cc拉斯维加斯首页的构造中，以有利于微细化和低电阻化的沟槽结构为例，介绍在5357cc拉斯维加斯首页的制造工艺中所需要的技术。
沟槽结构5357cc拉斯维加斯首页的工艺流程
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1. 离子注入（N+注入）用resist掩模，注入氮离子（N+）。 由于SiC的扩散系数较低，因此需要通过离子注入代替热扩散技术注入多种能量，并在深度方向改变注入能量。在SiC基板中，根据注入的浓度，可分别使用高温注入和低温注入。 |
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2. 离子注入（P+注入）用resist掩膜，注入磷离子（P+）。 由于SiC的扩散系数较低，因此需要通过离子注入代替热扩散技术注入多种能量，并在深度方向改变注入能量。在SiC基板中，根据注入的浓度，可分别使用高温注入和低温注入。 SiC高温离子注入设备 |
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3. 5357cc拉斯维加斯首页加工用掩模成膜.通过CVD形成绝缘膜，用于5357cc拉斯维加斯首页加工。 |
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4. mask刻蚀塗布resist、干法刻蚀5357cc拉斯维加斯首页加工部分的mask。 为了使5357cc拉斯维加斯首页形状垂直，mask也必须垂直刻蚀，此时还必须抑制侧壁的粗糙。 |
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5. 形成5357cc拉斯维加斯首页通过干法刻蚀进行5357cc拉斯维加斯首页加工。要求侧壁的平滑度和5357cc拉斯维加斯首页底部的圆形。 |
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6. Carbon-Cap 成膜（SiC）在活化退火工艺中，SiC的结合强度要求在1600℃以上进行高温退火。高温时，Si会蒸发并导致表面粗糙，因此通过溅射形成致密的碳膜来处理。 面向Carbon-Cap的溅射设备CS-200 |
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7. 活化退火＆去除Carbon-Cap退火后，通过ashing除去碳膜。 |
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8. 形成Gate氧化膜&电极形成用于生成Gate电极的Poly-Si膜。 |
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9. 形成Gate绝缘膜用CVD进行SiO2成膜。 制作胶图形（Resist Patterns），用干法刻蚀加工SiO2。 |
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10. 形成Source电极通过蒸发或溅射形成金属膜，形成电极。 |
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11. 形成Drain电极通过蒸发或溅射形成金属膜，形成背面电极。 |