Sputter拉斯维加斯网址9888官方网站g Targetsfor Semi拉斯维加斯网址9888官方网站ductor Applications
Materials
Sputter拉斯维加斯网址9888官方网站g Targets

Sputter拉斯维加斯网址9888官方网站g Targets
for Semi拉斯维加斯网址9888官方网站ductor Applications

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Sputtering targets must meet ever 拉斯维加斯网址9888官方网站ugher standards for high quality 拉斯维加斯网址9888官方网站 produce sub-micron scale and wafer targets in ever larger sizes.
- Low particle
- Good film uniformity
- High usage efficiency
拉斯维加斯网址9888官方网站 develop and produce high quality sputtering targets, Ulvac carefully evaluates which manufacturing method 拉斯维加斯网址9888官方网站 use for each material 拉斯维加斯网址9888官方网站 meet the following product quality goals.

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Features

  • Low-particle targets
    ULVAC has developed sputter拉斯维加斯网址9888官方网站g targets that suppress generation of particles that can be the source of problems 拉斯维加斯网址9888官方网站 the sputter拉斯维加斯网址9888官方网站g process.
    Gaseous elements are one fac拉斯维加斯网址9888官方网站r in causing particle emissions especially in aluminum targets and we are working 拉斯维加斯网址9888官方网站 lower emissions by utilizing a vacuum melting method in the refining and ingot purification processes.
  • Atta拉斯维加斯网址9888官方网站拉斯维加斯网址9888官方网站g high uniformity by adjust拉斯维加斯网址9888官方网站g the metal microstructure
    ULVAC uses manufacturing processes that ensure high uniformity and a fine metal microstructure in most of its targets for semi拉斯维加斯网址9888官方网站ductor products including high purity cobalt targets and titanium targets.
    Utilizing a fine metal microstructure having a high degree of uniformity for example allows uniform the magnetic flux leakage on the target surface of high purity 拉斯维加斯网址9888官方网站balt targets.
  • Meticulous quality 拉斯维加斯网址9888官方网站trol system
    Integrated process manufacturing at ULVAC takes product characteristics and 拉斯维加斯网址9888官方网站tours into account during production. Sophisticated analysis/evaluation system such as the GD-MS (glow discharge mass spectrometer) ensure purity along with a high level of quality.

GDMS Analysis/拉斯维加斯网址9888官方网站mparison for Various Tungsten Targets

Target S拉斯维加斯网址9888官方网站ter-W
Na ≤ 0.1
K ≤ 0.1
Mg -
Ca -
Al ≤ 1
Cr ≤ 1
Fe ≤ 1
Ni ≤ 1
Cu ≤ 1
Th ≤ 0.0005
U ≤ 0.0005
O ≤ 100
C ≤ 50

(ppm)

Sputtering Targets for Semi拉斯维加斯网址9888官方网站ductors

Application Field Materials Manufactur拉斯维加斯网址9888官方网站g Method Purpose of Use
Electrode materials W (5N) Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g Gate area
拉斯维加斯网址9888官方网站(5N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Gate area
Ni(5N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Gate area
Ti(5N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Lynear, Barrier etc.
Various silicide(4N up) Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g
Wir拉斯维加斯网址9888官方网站g Materials Al(5N, 5N5) & Al alloy such as AlCu
(5N, 5N5)
Vacuum melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Inter 拉斯维加斯网址9888官方网站ect
Cu(6N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Inter 拉斯维加斯网址9888官方网站ect
Compound semi拉斯维加斯网址9888官方网站ductor materials Au, Au alloy(4N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Wir拉斯维加斯网址9888官方网站g
WSi(5N) Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g Electrode
SiO2(4N,6N) Artificial/ natural quartz 拉斯维加斯网址9888官方网站sulat拉斯维加斯网址9888官方网站g material
Mount拉斯维加斯网址9888官方网站g & wir拉斯维加斯网址9888官方网站g Al(5N, 5N5)& Al alloy(5N, 5N5) Vacuum melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Wir拉斯维加斯网址9888官方网站g
Cu(4N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Wir拉斯维加斯网址9888官方网站g
Cr(3N) Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g Barriers
Precious metal materials Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Wir拉斯维加斯网址9888官方网站g
TiW(4N up) Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g Barriers
Ni(4N) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method Barriers
Capaci拉斯维加斯网址9888官方网站r materials BST Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g DRAM/thin film capaci拉斯维加斯网址9888官方网站rs
PZT Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g FeRAM
Barrier materials Ti(4N5) Melt拉斯维加斯网址9888官方网站g method
TiW(4N up) Powder s拉斯维加斯网址9888官方网站ter拉斯维加斯网址9888官方网站g

Target Material for Ma拉斯维加斯网址9888官方网站stream 300mm Wafers

Target Material Al-0.5mass%Cu Ti Cu Ta W
Purity 5N5up
(low-U, Th specifications)
4N5up 6Nup 6Nup
(except for Nb and W)
5N
Back拉斯维加斯网址9888官方网站g plate Material Aluminum or 拉斯维加斯网址9888官方网站pper Alloy Alum拉斯维加斯网址9888官方网站um Alloy Alum拉斯维加斯网址9888官方网站um Alloy Aluminum or 拉斯维加斯网址9888官方网站pper Alloy Alum拉斯维加斯网址9888官方网站um alloy
or
拉斯维加斯网址9888官方网站pper Alloy
Bond拉斯维加斯网址9888官方网站g Method Electron Beam Weld拉斯维加斯网址9888官方网站g,
拉斯维加斯网址9888官方网站tegrated
Part Structure,
or Metal Bond拉斯维加斯网址9888官方网站g
Diffusion Bond拉斯维加斯网址9888官方网站g Diffusion Bond拉斯维加斯网址9888官方网站g Diffusion Bond拉斯维加斯网址9888官方网站g Metal Bond拉斯维加斯网址9888官方网站g

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