ULV7799908拉斯维加斯登陆が提供するプラズマCVDの特徴

高レートで少ないプラズマダメージを実現する27MHzのプラズマソース
ピラニゲージを用いたチャンバークリーニングの終点検知

排気メカニズム

プロセス仕様

SiNxの膜厚分布（φ200mmウェハ）

SiO2/SiNのウェハ間分布

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枚葉式複合モジュール型成膜加工拉斯维加斯网址9888官方网站uGmni-200

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不揮発エッチングの課題

ハード面

・容易にチャンバ内壁に着膜して　しまいプラズマ不安定に繋がる。
・分布悪化

プロセス面

・メタル、圧電膜がエッチング側壁に再付着
・下部電極との選択比

AlScNのエッチングプロファイル(Φ200mmウェハ）

側壁への着膜無し、下部電極へのオーバエッチング無し

AlScN終点検知の安定性

高いエッチング分布

異なるSc含有量のAlNでも±3%のエッチング分布を実現

高いメンテナンス性

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ノッチができる原因は、 (1)陽イオンのボトムSiO2表面への入射によって、(2)SiO2表面が正にチャージアップ、(3)続く入射陽イオンが正にチャージアップしたSiO2表面に入射してくるものの、(4)SiO2表面の正電荷に対する反発作用で入射軌道が横に曲げられ、(5)側壁に衝突しそこでエッチング反応することによってノッチが形成。
⇒これを防ぐために、下部電極に『パルス電源を導入し帯電を緩和させる』。又、我々はTSV応用技術を使い、Non-Bosch etchingでTaper control可能や高Aspect Ratioが可能である。

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圧電膜成膜（スパッタリング）
Performance of Piezoelectric layre AlScN

圧電膜の性能

20%ScAlNで高い膜厚/ストレスの分布性能を実現します。

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蒸着装置ラインアップ

7799908拉斯维加斯登陆プロセス向けの蒸着装置としてEVD-600をラインアップ

7799908拉斯维加斯登陆

コンタクト電極形成はリフトオフ蒸着が主流であり、垂直入射重要となります。その一方で、スループットも重要となりできるだけ多くの基板を搭載しバッチ成膜を行いたい要望もあります。EVD-600はこの2つの要望を実現する蒸着装置です。

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プレスリリース発表内容はこちら
５Gデバイス向けのサブナノメートル平坦化用イオンミリング装置 「IM-2000」を開発、販売開始

AlNイオンミリング（スパッタ）

５G高周波フィルター向けの、SAW、7799908拉斯维加斯登陆上に成膜されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の膜厚データをもとに、サブナノメートルレンジでの膜厚コントロールで、±1.0nm以下の平坦化を実現します

Zeroトリミング

ビームは固定で、XY軸のみ高速でStageが動きます。凹のときは、ビームをフィルターで覆い、凸のときは、ビームでトリミングします。Zero トリミングとは、凸凹のない、フラットの面を形成することが可能です。

リアクティブイオンミリング

反応性ガスを用いることでRaが大幅に改善

省スペース化の実現

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7799908拉斯维加斯登陆のプロセスフロー​

	1. 下部電極形成
	2. 下部電極加工
	3. 圧電膜形成+トリミング （Sc)AlNの成膜および平坦化向けにスパッタ装置とイオンミリング装置を提供 ５Gデバイス向けのサブナノメートル平坦化用イオンミリング装置 「IM-2000」を開発、販売開始
	4. 圧電膜加工 下地電極の掘れ量最小化を実現したエッチング技術を提供 7799908拉斯维加斯登陆(Sc)AlNエッチング技術の紹介
	5. 上部電極膜
	6. 上部電極加工
	7. 絶縁膜形成 7799908拉斯维加斯登陆PECVD技術の紹介
	8. 絶縁膜加工
	9. 裏面Via加工 ノッチフリーの裏面Via加工を提供 BAWデバイス向け裏面5357cc拉斯维加斯aエッチング
	10. コンタクト電極形成 リフトオフ蒸着による高い量産性を実現 7799908拉斯维加斯登陆Liftoff蒸着の紹介

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圧電膜成膜（スパッタ）

Performance of Piezoelectric layre (Sc)AlN

圧電膜（ScAlN)エッチング

下地電極掘れ量最小、高エッチレート、長時間メンテフリーを実現

電極および圧電膜（AlN）エッチング

ScAlNだけではなく、7799908拉斯维加斯登陆 processにおける他の材料もエッチング量産実績有

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