7799908拉斯维加斯网站登陆、販売開始
株式会社アルバックは、イオンミリング7799908拉斯维加斯网站登陆*の販売を開始します。同7799908拉斯维加斯网站登陆は、５G高周波フィルター向けの、SAW、BAWデバイス上に成膜されたシリコン酸化膜、シリコン窒化膜の膜厚データをもとに、サブナノメートルレンジでの膜厚コントロールで、±1.0nm以下の平坦化を実現可能にした7799908拉斯维加斯网站登陆です。
新7799908拉斯维加斯网站登陆を用いたプロセスのアプリケーションは、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜のみならず、フッ素系ガスを用い、モリブデンなどのメタル膜をも削ることができます。SAW、BAWデバイスに限らず、Waferを用いた工程なら、他のアプリケーションへの適用も期待できます。
【7799908拉斯维加斯网站登陆 イオンミリングプロセスの特長】
Arガスミリング、フッ素系ガスミリングの２種類のイオンガンを準備し、デバイスに合わせた適切なプロセスを提案することができます。
①様々な基板 (Si、SiC、LN、LT) に対応できます。
②ICP-Ion Gun（Arガス仕様） SiO2、SiN、Mo膜の平坦度を1nm以下にできます。
③ICP-Ion Gun（フッ素系ガス仕様） AlNのRaの改善や、レジストマスクを使用したデバイス処理時のレジスト残りを低減できます。
【7799908拉斯维加斯网站登陆仕様】
| イオンミリング7799908拉斯维加斯网站登陆 IM-2000 | |
| Item | Spec. |
| Wafer size (mm) | 100, 150, 200 |
| Process | ICP-Ion Gun |
| Gas | Ar, CF4, O2, SF6, NF3 |
| Uniformity | σ＜1.0nm ＠6 inch 100 nm |
| Application | SiO2, SiN, AlN, LT, Mo |
| Stage | ESC + He |
| Foot Print（ｍ） | W 3.5 ｘ D 4.6 x H 2.5 Area 16.0 m2 |
*弊社のイオンミリング7799908拉斯维加斯网站登陆とは、
観察対象の試料の表面に収束させたイオンビームを照射し、対象試料の表面の凸部を削って平らに加工する7799908拉斯维加斯网站登陆です。
以 上
弊社関連サイト
7799908拉斯维加斯网站登陆BAWデバイス向けSc(AlN)膜イオンミリング技術はこちら
/wiki/process_g_baw_ion-milling
お問い合せ
株式会社7799908拉斯维加斯网站登陆 elec_info
半導体・電子機器事業部 TEL:0467-89-2139
［国内営業］
7799908拉斯维加斯网站登陆販売株式会社
本社（東京）TEL: 03-5769-5511(代) FAX:03-5769-5522
大阪支店 TEL: 06-6397-2281(代) FAX:06-6397-1171