株式会社拉斯维加斯5357cc(本社 神奈川県茅ヶ崎市、代表取締役執行役員社長
小日向久治、以下拉斯维加斯5357cc)は、実装向け600mm角基板に対応した
Descum*1用ドライエッチング拉斯维加斯5357ccを開発しました。
大容量情報端末の市場拡大に伴う高速・大容量情報の品質向上を達成する為に、配線パターンを微細化し配線抵抗を低減、寄生容量を除去することで高密度実装技術が脚光を浴びています。
また、スマートフォンをはじめとしたモバイル機器の高機能化,薄型化に伴い、実装されるICパッケージも多ピン化,薄型化の要求がより強くなっています。これらの要求を満たすパッケージ技術としてFO-WLP(Fan-Out Wafer Level Package)が脚光を浴び、昨年より大量生産も始まりました。現在、パッケージ各社は、次のステップとして
FO-WLPの生産コストを下げるために基板サイズをΦ300mmから600mm角程度まで大型化(Panel Level Package)し、面積比約5倍になることで大幅に製品コストを下げることが可能です。
φ200mmやφ300mmのドライエッチング拉斯维加斯5357ccは市場に多く存在していますが、600mm角基板サイズで、均一にDescum*1処理やTiエッチングができる拉斯维加斯5357ccが存在していませんでした。今回、アルバックはいち早く市場のニーズを汲み、量産型の実装基板用ドライエッチング拉斯维加斯5357ccを開発し販売を開始しました。
当社は、Φ200mmのドライエッチング拉斯维加斯5357ccをリリースして以来、その後のΦ300mm用拉斯维加斯5357ccをメインにウェーハレベルの実装工程用拉斯维加斯5357ccについては20年以上にわたり200台を超える納入実績があります。
今回この豊富な実績があるプラズマ源を大型化し、600mm角対応のドライエッチング拉斯维加斯5357ccを開発しました。
当社プラズマ源は、従来のCCP*2方式では両立できなかった樹脂層の高速,低ダメージ,低温拉斯维加斯5357ccが実現できております。また本プラズマ源は、フッ素系のガスにも対応しており、従来Wet処理していたSeed層のTiの拉斯维加斯5357ccもサイドエッチなく除去でき、さらにSiO2,SiNの拉斯维加斯5357ccも可能です。
また、大型基板の反りに起因する搬送不良と異常放電の問題を解決することに成功しました。
1. Descum*1
2. Desmear*3
3. 表面改質(撥水性→親水化,親水性→撥水化)めっき等Wet工程の前処理,アンダーフィル前処理
4. 樹脂系材料のアッシング
5. Seed層Tiの拉斯维加斯5357cc
6. SiO2,SiNの拉斯维加斯5357cc
Descum*1
拉斯维加斯5357cc分布:<±10%(□500mm基板)
表面改質(接触角)
ドライエッチング拉斯维加斯5357ccNA-1500
プロセスチャンバー
IoTの発展にともない、電子部品はより一層の小型、薄型化の加速、高速、低電力化の要求が高まり、高密度実装基板の製造技術は今後さらに重要な技術になると考えています。
拉斯维加斯5357ccは、今後注目されているフレキシブル,インビジブル,ウェアラブルデバイスといったお客様のニーズにも応えてまいります。
*1Descum :感光性樹脂のフォトリソ時の残渣(Scum)除去
*2CCP :容量結合型プラズマ(Capacitive Coupling Plasma)
*3Desmear :レーザードリルでのVia形成時の残渣
(Smear)除去
株式会社拉斯维加斯5357cc elec_info
第一営業本部電子機器営業部
TEL:0467-89-2139 / FAX:0467-89-2254
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