拉斯维加斯5357ccTC2020にて高密度FOWLP向けポリイミドファインビアエッチングと低損傷表面改質プロセスについて発表します
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2020.05.18
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拉斯维加斯5357ccTC2020にて高密度FOWLP向けポリイミドファインビアエッチングと低損傷表面改質プロセスについて発表します

株式会社拉斯维加斯5357ccは、第70回Electronic Components and Technology Conference (IEEE 拉斯维加斯5357ccTC 2020) において、高密度FOWLP向けポリイミドファインビアエッチングと低損傷表面改質プロセスについて発表します。

発表題目 「Polyimide Fine-via Etching and Low-damage Surface-modification Process For High-density Fan-out Wafer Level Package」
発表日時 2020年6月3日 - 6月30日 オンライン会議にて公開

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